SC1205H
不建议用于新设计
不建议用于新设计.
SC1205H具有成本效益, 高驱动电压, 双MOSFET驱动器设计用于开关高、低侧功率MOSFET. 每个驱动器都具有超快的上升/下降时间,以及从输入跃迁到功率场效应管栅极的最大20ns传播延迟.
Features
- 更高的效率
- 快速上升和下降时间(3000pf负载下典型15 ns)
- 更高的栅极驱动电压(8 V)在最小的开关损耗下获得最佳的MOSFET RDS_ON
- Ultra-low (< 20 ns) propagation delay (BG going low)
- 5安培峰值电流
- 自适应非重叠栅极驱动器提供穿透保护
- 浮动顶驱动开关高达18v
- 欠压锁定
- 过热关机
- EN低时,电源电流小于10µA
- Low cost
- 英特尔奔腾®电源
- AMD Athlon™和AMD- k8™电源
- 高效便携式和笔记本电脑
- 电池驱动的应用程序
- 高频(对1).0 MHz)操作允许使用小型电感器和低成本帽代替电解
应用程序
Packaging
- SOIC-8
Order Codes
- SC1205HSTR:包装最小磁带 & Reel Only
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